Existuje mnoho faktorov, ktoré obmedzujú vývoj strojov na vákuové pokovovanie v Číne, najmä spracovanie tantalu a častí vyrobených z tantalu, kľúčovej suroviny používanej na výrobu zdrojov odparovania strojov na pokovovanie.Tantal a zliatiny tantalusú vhodné na výrobu podporného príslušenstva, ohrievačov a tepelných štítov vo vákuových zariadeniach vďaka ich vysokému bodu topenia, dobrej stabilite a nízkemu tlaku pary pri vysokých teplotách. V súčasnosti sa výrobou tantalových dielov pre vákuové odparky zaoberá len málo domácich podnikov, čo vedie k veľkej závislosti od dovozu tantalových dielov pre vákuové odparky, a pri výrobe a výrobe tantalových dielov pre vákuové odparky v Číne existuje veľa ťažkostí.
Odporový ohrev sa často používa ako zdroj vyparovania pre materiály s teplotami vyparovania 1 000~2 000 C. Vo všeobecnosti sa vyžaduje, aby teplota topenia materiálu zdroja vyparovania bola asi o 1000 °C vyššia ako teplota vyparovania pracovná teplota, rovnovážny tlak pary je nízky, krehkosť po vysokoteplotnom ochladení je malá a má dobrú chemickú stabilitu vo vákuovom prostredí. Preto je tantal bežným materiálom na vákuové naparovanie.
Tantal je svetlosivý kov s mierne modrou farbou a vysokou hustotou (16,5) × 103 kg/m3, vysokým bodom topenia (2 996 C), nízkym koeficientom lineárnej rozťažnosti (6,5 medzi 0 a 100 C) × 10-6 K-1), tvárne, húževnatejšie ako meď, ťahané za studena do jemného drôtu alebo fólie. Tepelná vodivosť tantalu pri 300 K je 52,1 W (m K) -1 a modul pružnosti je 192 × 103 MPa pri izbovej teplote.
Obsah tantalu v Ta1 je viac ako 90,35 percent; Ta2 obsahuje viac ako 79,50 percent tantalu. Čistota tantalu je však viac ako 99,95 percent pre bežné vákuové naparovacie pokovovanie a 99,99 percent pre špičkové OLED pokovovacie stroje. Je zrejmé, že základné požiadavky tantalu na vákuové pokovovanie nemožno splniť použitím existujúcich značiek a noriem. Výroba vysoko čistého tantalu sa stala kľúčovým faktorom obmedzujúcim lokalizáciu tantalových dielov pre vákuové pokovovacie stroje.
Nízka teplota topenia iných kovových prvkov (ako je Fe, Ni atď.) alebo vysoký rovnovážny tlak pár (ako je W) alebo nízka stabilita (Ti) v tantalovom materiáli. Keď sa tantalový materiál s nízkou čistotou odparuje pri vysokých teplotách, iné kovové prvky sa môžu rozkladať a vyparovať alebo reagovať s inými molekulami vo odparovacej komore, čo vedie k tomu, že sa zložky filmu odchyľujú od zložiek materiálu výparníka. Preto vákuové odparovanie vysoko čistých tantalových častí môže výrazne znížiť znečistenie materiálu, ktorý je zdrojom odparovania, na povlak.
